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型号 PHT6NQ10T,135
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
PHT6NQ10T,135 PDF
代理商 PHT6NQ10T,135
标准包装 4,000
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 90 毫欧 @ 3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 633pF @ 25V
功率 - 最大 8.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装 SC-73
包装 带卷 (TR)
其它名称 568-6791-2
934055876135
PHT6NQ10T /T3
PHT6NQ10T /T3-ND
PHT6NQ10T,135-ND
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